silicon carbide substrates

Substrati in carburo di silicio

Il substrato è il materiale di base del chip semiconduttore, che può essere suddiviso in tipo conduttivo e tipo semiisolante in base alla resistività. I dispositivi a semiconduttore realizzati con substrato in carburo di silicio possono soddisfare meglio i requisiti applicativi di alta temperatura, alta tensione e potenza maggiore, la forma è generalmente rotonda e il diametro è solitamente di 2 pollici (50 mm), 3 pollici (75 mm), 4 pollici (100 mm ), 6 pollici (150 mm), 8 pollici (200 mm) e altre specifiche.

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Proprietà dei substrati SiC

â© Buona stabilità alle alte temperature

Il substrato in carburo di silicio ha una buona stabilità alle alte temperature e la deformazione reticolare generata dal substrato in carburo di silicio è piccola nell'ambiente di lavoro ad alta temperatura e non è facile che si verifichino deformazioni di espansione o dilatazioni termiche fuori controllo.

â© Elevata stabilità chimica

Il substrato in carburo di silicio ha un'eccellente resistenza alla corrosione e può resistere alla corrosione di ambienti acidi e alcalini. La sua stabilità chimica è buona, nessun problema di corrosione durante l'uso a lungo termine.

â© Eccellenti proprietà meccaniche

Il substrato in carburo di silicio ha un'eccellente resistenza meccanica e durezza, può sopportare grandi pressioni e forze di torsione e la resistenza all'usura è buona. Nel frattempo, il suo modulo elastico è ampio, il modulo di Young è elevato, non facile da deformare o incollare tra loro.

Dati tecnici di materiali in carburo di silicio

Articolo Unità Dati indice
SiC sinterizzato per reazione
(SiSiC)
Nitruro di silicio legato con SiC
(NBSiC)
SiCn sinterizzato senza pressione
(SSiC)
Contenuto SiC % 85 80 99
Contenuto di silicio gratuito % 15 0 0
Massimo. Temp. di servizio â 1380 1550 1600
Densità g/cm3 3.02 2,72 3.1
Porosità % 0 12 0
Resistenza alla flessione 20°C MPa 250 160 380
1200°C MPa 280 180 400
Modulo di elasticità 20°C Gpa 330 220 420
1200°C Gpa 300 / /
Conduttività termica 1200°C W/m.k 45 15 74
Coefficiente di dilatazione termica K-1×10-6 4.5 5 4.1
Durezza Vickers AV kg/mm2 2500 2500 2800

*Questa tabella illustra le caratteristiche standard dei materiali in carburo di silicio comunemente utilizzati nella produzione dei nostri prodotti e componenti SiC. Tieni presente che gli attributi dei prodotti e delle parti personalizzati in carburo di silicio possono variare a seconda dei processi specifici coinvolti.

Principali applicazioni dei substrati SiC

Il substrato in carburo di silicio è il materiale di base dei chip semiconduttori, rispetto al substrato in silicio, può soddisfare meglio le esigenze di alta temperatura, alta tensione, alta frequenza e grande potenza ed è ampiamente utilizzato nei veicoli elettrici, nella generazione di energia fotovoltaica, nel trasporto ferroviario , data center, pile di ricarica e altri prodotti e apparecchiature.

1. Dispositivi ad alta potenza (tipo conduttivo)

Il substrato in carburo di silicio ha un'elevata conduttività termica, un'elevata intensità del campo elettrico di rottura, una bassa perdita di energia, adatto per la produzione di dispositivi ad alta potenza, come moduli di potenza, moduli di azionamento, ecc.

2. Dispositivi elettronici a radiofrequenza (tipo semiisolato)

Il substrato in carburo di silicio ha un'elevata conduttività, può soddisfare le esigenze di lavoro ad alta frequenza, adatto per amplificatori di potenza RF, dispositivi a microonde e interruttori ad alta frequenza;

3. Dispositivi fotoelettronici (tipo semiisolato)

Il substrato in carburo di silicio ha un ampio gap energetico e un'elevata stabilità termica, adatto per la produzione di fotodiodi, celle solari, diodi laser e altri dispositivi;

4. Sensore di temperatura (tipo conduttivo)

Il substrato in carburo di silicio ha un'elevata conduttività termica e stabilità termica, adatto per la produzione di un ampio campo di lavoro e sensori di temperatura ad alta precisione.

Servizi personalizzati

Processo per la richiesta personalizzata

â© Disegno e fornitura di campioni

â© Valutazione della soluzione produttiva e del metodo di fabbricazione

â© Calcolo dei costi e preventivo

â© Pagamento del costo del modulo

â© Consegna del campione

â© Valutazione e conferma del campione

â© Acconto per ordine all'ingrosso

â© Produzione di massa

â© Consegna di prodotti in batch

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