Nel processo di produzione del substrato SiC (carburo di silicio), il taglio del lingotto SiC è un passaggio cruciale. Non solo determina direttamente la qualità della superficie e l'accuratezza dimensionale del substrato, ma ha anche un'influenza decisiva sul controllo dei costi. I parametri chiave determinati dal processo di taglio, come rugosità superficiale (Ra), deviazione dello spessore totale (TTV), deformazione (BOW) e piegatura (WARP), hanno un profondo impatto sulla qualità finale, sulla resa e sul costo di produzione del substrato . Inoltre, la qualità del taglio è direttamente correlata anche all’efficienza e ai costi dei successivi processi di levigatura e lucidatura. Pertanto, lo sviluppo e il progresso della tecnologia di taglio dei lingotti SiC sono di grande importanza per migliorare il livello dell'intero industria manifatturiera del substrato in carburo di silicio.
Lama per sega diamantata, lama per sega circolare, eliminazione, grande differenza Ra, grande deformazione, ampia fessura, bassa velocità, bassa precisione, forte rumore
Scintilla elettrica: filo + corrente, eliminata, ampia fessura, ampio spessore dello strato di bruciatura superficiale
Linea malta: filo di acciaio inossidabile ramato + malta, wafer sottile, alta resa, basse perdite, bassa velocità e bassa precisione, inquinamento, bassa durata della sega a filo
Filo diamantato: abrasivo consolidato + filo diamantato, alta efficienza, fessura stretta, protezione ambientale, strato danneggiato in profondità, usura rapida del filo, deformazione del substrato
In primo luogo, lo status quo della tecnologia di taglio dei lingotti SiC
Con il progresso della scienza e della tecnologia, la tecnologia di taglio dei lingotti SiC ha fatto notevoli progressi. Allo stato attuale, la tecnologia di taglio tradizionale comprende principalmente il taglio con malta, il taglio con filo diamantato e la tecnologia di spelatura laser. Queste tecnologie differiscono per efficienza di taglio, qualità della superficie, costi, ecc., fornendo una varietà di opzioni per la produzione di substrati SiC.
In secondo luogo, l'analisi delle principali caratteristiche della tecnologia di taglio
1. Taglio a filo di malta: come tecnologia di taglio tradizionale, il taglio a filo di malta taglia il lingotto di SiC attraverso la linea contenente abrasivo e malta. Sebbene questo metodo sia a basso costo e facile da applicare nella produzione di massa, è lento da tagliare e può lasciare uno strato profondamente danneggiato sulla superficie del substrato, influenzando la successiva efficienza di lavorazione e la qualità del substrato.
2. Taglio a filo diamantato: la tecnologia di taglio a filo diamantato utilizza particelle di diamante come abrasivi per tagliare il lingotto di SiC attraverso linee rotanti ad alta velocità. Questo metodo non solo ha un'elevata velocità di taglio, ma anche uno strato superficiale danneggiato, che aiuta a migliorare la qualità e la resa del substrato. Pertanto, la tecnologia di taglio a filo diamantato viene gradualmente ampiamente utilizzata nel campo della produzione di substrati SiC.
3. Tecnologia di stripping laser: la tecnologia di stripping laser è un metodo di taglio emergente, che utilizza l'effetto termico del raggio laser per separare il lingotto SiC. Questa tecnologia può fornire tagli molto precisi, riducendo significativamente i danni al substrato e migliorando così la qualità del substrato. Tuttavia, a causa dei costi relativamente elevati attuali, la tecnologia di stripping laser viene utilizzata principalmente in campi di fascia alta.
Terzo, l'impatto della tecnologia di taglio sulla qualità del substrato e sui processi successivi
La scelta della tecnologia di taglio non influisce solo sulla qualità diretta del substrato SiC, ma ha anche un impatto importante sulla sua successiva lavorazione. La tecnologia di taglio di alta qualità può ridurre i danni alla superficie del substrato, ridurre la difficoltà e i costi di molatura e lucidatura, migliorando così l'efficienza e l'efficacia dell'intero processo di produzione. Pertanto, nel processo di produzione del substrato SiC, è molto importante scegliere la giusta tecnologia di taglio.
In sintesi, lo sviluppo e il progresso della tecnologia di taglio dei lingotti SiC sono di grande importanza per migliorare la qualità, l’efficienza e il controllo dei costi del substrato SiC. Con il continuo progresso della scienza e della tecnologia e l'intensificarsi della concorrenza sul mercato, la futura tecnologia di taglio dei lingotti SiC si svilupperà nella direzione di una maggiore efficienza, precisione ed economia. Allo stesso tempo, con il rapido sviluppo di nuova energia, semiconduttori e altri campi, la domanda del mercato per il substrato SiC continuerà a crescere, fornendo un ampio spazio e opportunità per lo sviluppo della tecnologia di taglio dei lingotti SiC.
