Substrato ceramico in carburo di silicio Substrato SiC

Il substrato è il materiale di base del chip semiconduttore, che può essere suddiviso in tipo conduttivo e tipo semiisolante in base alla resistività. I dispositivi a semiconduttore realizzati con substrato in carburo di silicio possono soddisfare meglio i requisiti applicativi di alta temperatura, alta tensione e potenza maggiore, la forma è generalmente rotonda e il diametro è solitamente di 2 pollici (50 mm), 3 pollici (75 mm), 4 pollici (100 mm ), 6 pollici (150 mm), 8 pollici (200 mm) e altre specifiche.

Marca:
ATCERA
Articolo n.:
AT-SIC-CD001

Materiali
SiC
Forme
Substrate
Applicazioni
Semiconductor , Photovoltaic Cell Industry

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Proprietà del Substrato ceramico in carburo di silicio

Il substrato in carburo di silicio ha una buona dissipazione del calore, un'elevata conduttività elettrica, un'elevata intensità del campo elettrico di rottura, un ampio divario energetico, una buona resistenza alla corrosione, può soddisfare i requisiti di componenti ad alta potenza, basse perdite e alta frequenza e può mantenere a lungo termine prestazione stabile in ambienti difficili.

1. Buona stabilità alle alte temperature

Il substrato SiC ha una buona stabilità alle alte temperature e la deformazione reticolare generata dal substrato in carburo di silicio è piccola nell'ambiente di lavoro ad alta temperatura e non è facile che si verifichi una deformazione di espansione o un'espansione termica fuori controllo.

2. Elevata stabilità chimica

Il substrato in carburo di silicio ha un'eccellente resistenza alla corrosione e può resistere alla corrosione di ambienti acidi e alcalini. La sua stabilità chimica è buona, nessun problema di corrosione durante l'uso a lungo termine.

3. Eccellenti proprietà meccaniche

Il substrato SiC ha un'eccellente resistenza meccanica e durezza, può sopportare grandi pressioni e forze di torsione e la resistenza all'usura è buona. Nel frattempo, il suo modulo elastico è ampio, il modulo di Young è elevato, non facile da deformare o incollare tra loro.

Applicazioni di Substrato SiC

Il substrato in carburo di silicio è il materiale di base dei chip semiconduttori, rispetto al substrato in silicio, può soddisfare meglio le esigenze di alta temperatura, alta tensione, alta frequenza e grande potenza ed è ampiamente utilizzato nei veicoli elettrici e nella produzione di energia fotovoltaica , trasporto ferroviario, data center, pile di ricarica e altri prodotti e apparecchiature.

1. Dispositivi ad alta potenza (tipo conduttivo): il substrato in carburo di silicio ha un'elevata conduttività termica, un'elevata intensità del campo elettrico di rottura, una bassa perdita di energia, adatto per la produzione di dispositivi ad alta potenza, come moduli di potenza, moduli di azionamento, ecc.

2. Dispositivi elettronici a radiofrequenza (tipo semi-isolato): il substrato in carburo di silicio ha un'elevata conduttività, può soddisfare le esigenze di lavoro ad alta frequenza, adatto per amplificatori di potenza RF, dispositivi a microonde e interruttori ad alta frequenza;

3. Dispositivi fotoelettronici (tipo semi-isolato): il substrato in carburo di silicio ha un ampio gap energetico e un'elevata stabilità termica, adatto per la produzione di fotodiodi, celle solari e diodi laser e altri dispositivi;

4. Sensore di temperatura (tipo conduttivo): il substrato in carburo di silicio ha un'elevata conduttività termica e stabilità termica, adatto per la produzione di un ampio campo di lavoro e sensori di temperatura ad alta precisione.

Tabella delle dimensioni per Substrato ceramico in carburo di silicio

Ci impegniamo a fornire un substrato SiC ottimale su misura per le vostre precise specifiche. Il nostro team dedicato garantisce un rispetto meticoloso delle vostre istruzioni, sforzandosi di superare le aspettative dei clienti. Inoltre, offriamo la flessibilità di dimensioni personalizzate per soddisfare le vostre esigenze specifiche.

Le informazioni sui parametri relativi alle dimensioni e al materiale devono essere fornite se richiesto un progetto personalizzato.

Invia requisiti per il design personalizzato

Tolleranza di lavorazione:

1. Diametro: ±0,25 mm

2. Spessore: ±25μm

3. Orientamento del cristallo: <001> ±0,5°

4. Orientamento della faccia del cristallo: ±0,5°

5. Orientamento del bordo: ≤2°

Altri parametri contattare ATCERA.

Drawing of SiC Substrate Square

Quadrato con substrato SiC
Articolo n.	L×P (mm)	Spessore (mm)
AT-SIC-CD001	10*3	0,5/1,0
AT-SIC-CD002	10*5	0,5/1,0
AT-SIC-CD003	10*10	0,5/1,0
AT-SIC-CD004	15*15	0,5/1,0
AT-SIC-CD005	20*15	0,5/1,0
AT-SIC-CD006	20*20	0,5/1,0

Drawing of SiC Substrate Round

Substrato SiC rotondo
Articolo N.	Diametro (pollici)	Spessore (mm)
AT-SIC-CD101	2	2
AT-SIC-CD102	3	3
AT-SIC-CD103	4	4
AT-SIC-CD104	6	2
AT-SIC-CD105	8	3

Dati tecnici dei silicio carburo materiali

Articolo		Unità	Dati indice
Articolo		Unità	SiC sinterizzato per reazione (SiSiC)	Nitruro di silicio legato con SiC (NBSiC)	SiCn sinterizzato senza pressione (SSiC)
Contenuto SiC		%	85	80	99
Contenuto di silicio gratuito		%	15	0	0
Massimo. Temp. di servizio		â	1380	1550	1600
Densità		g/cm3	3.02	2,72	3.1
Porosità		%	0	12	0
Resistenza alla flessione	20°C	MPa	250	160	380
Resistenza alla flessione	1200°C	MPa	280	180	400
Modulo di elasticità	20°C	Gpa	330	220	420
Modulo di elasticità	1200°C	Gpa	300	/	/
Conduttività termica	1200°C	W/m.k	45	15	74
Coefficiente di dilatazione termica		K-1×10-6	4.5	5	4.1
Durezza Vickers	AV	kg/mm2	2500	2500	2800

*Questa tabella illustra le caratteristiche standard dei materiali in carburo di silicio comunemente utilizzati nella produzione dei nostri prodotti e componenti SiC. Tieni presente che gli attributi dei prodotti e delle parti personalizzati in carburo di silicio possono variare a seconda dei processi specifici coinvolti.

Metodi puliti

1. Detergente alcalino: il detergente alcalino può rimuovere gli inquinanti organici e alcune impurità inorganiche sulla superficie del carburo di silicio, l'utente può scegliere un detergente alcalino con idrossido di sodio e tensioattivo. Durante la pulizia, il substrato in carburo di silicio viene immerso nella soluzione detergente, quindi agitato con onde ultrasoniche e infine risciacquato con acqua deionizzata.

2. Detergente acido: il detergente acido può rimuovere gli ioni metallici e alcuni inquinanti inorganici sulla superficie del carburo di silicio, l'uso di un detergente acido contenente acido fluoridrico e acido nitrico. Durante la pulizia, il substrato in carburo di silicio viene immerso nella soluzione detergente, quindi agitato con onde ultrasoniche e infine risciacquato con acqua deionizzata.

3. Pulizia al plasma di ossigeno: la pulizia al plasma di ossigeno è un metodo di pulizia fisica che rimuove gli inquinanti organici e inorganici sulla superficie del carburo di silicio attraverso la reazione chimica del plasma di ossigeno. Durante la pulizia, il substrato in carburo di silicio viene inserito nella macchina per la pulizia al plasma, viene iniettato ossigeno e viene generato plasma, quindi pulito.

Informazioni preziose

Imballaggio del substrato SiC

I substrati SiC sono accuratamente imballati in contenitori adeguati per evitare potenziali danni.

Vantaggi della personalizzazione

1. In base al tuo scenario applicativo, analizza le esigenze, scegli il materiale e il piano di lavorazione appropriati.

2. Un team di professionisti, risposta rapida, può fornire soluzioni e preventivi entro 24 ore dalla conferma della richiesta.

3. Meccanismo flessibile di cooperazione aziendale, supporta almeno un pezzo di personalizzazione della quantità.

4. Fornisci rapidamente campioni e rapporti di prova per confermare che il prodotto soddisfa le tue esigenze.

5. Fornire suggerimenti sull'uso e la manutenzione del prodotto per ridurre i costi di utilizzo.

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