Il substrato HTCC in nitruro di alluminio è costituito da nitruro di alluminio come materia prima con spessore accurato e buona densificazione del foglio di ceramica grezzo, utilizzando tungsteno, molibdeno, manganese e altri residui metallici, e lo schema circuitale progettato è formato sul foglio di ceramica grezzo attraverso perforazione, micro -stuccatura dei fori, stampa e altri processi, quindi laminati insieme e sinterizzati a 1500°C~1850°C. Infine, attraverso la galvanica, la brasatura e altri processi, si forma una struttura monolitica del sistema di cablaggio tridimensionale. Il substrato HTCC in nitruro di alluminio ha un'elevata resistenza meccanica, buone prestazioni di dissipazione del calore, resistenza alle alte temperature e alla corrosione, elevata densità di cablaggio, è adatto per componenti elettronici che devono funzionare in ambienti ad alta temperatura, con elevati requisiti di stabilità termica e grande potenza. 1>
Domande frequenti
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