silicon carbide heat sink
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Dissipatore di calore SiC con piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio è sinterizzata da polvere di carburo di silicio, con elevata conduttività termica, elevata durezza, buona resistenza all'usura, alle alte temperature e resistenza alla corrosione. L'interno è una struttura microporosa con una porosità superiore al 30%, che aumenta l'area a contatto con l'aria e l'effetto di dissipazione del calore, quindi il calore può essere dissipato più rapidamente, che può essere utilizzato per realizzare dissipatori di calore per componenti elettronici ed elettrici attrezzatura.

  • Marca:

    ATCERA
  • Articolo n.:

    AT-SIC-P1047
  • Materiali

    SiC
  • Forme

    Plate
  • Applicazioni

    Electronics and Electricity , Mechanical Parts
ceramic heat sink

Proprietà di Ceramica al carburo di silicio Piastra termoconduttiva

1. Buon effetto rinfrescante

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio ha un'elevata conduttività termica, l'effetto di dissipazione del calore è ulteriormente rafforzato dalla struttura porosa interna ed è possibile ottenere una rapida dissipazione del calore.

2. Buona resistenza alla corrosione

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio resistente alla corrosione di acidi, alcali e altri prodotti chimici, può essere applicata a una varietà di ambienti con mezzi corrosivi.

3. Buona resistenza all'usura

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio ha elevata durezza, buona resistenza all'usura e lunga durata.

4. Resistenza alle alte temperature

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio ha una buona resistenza alle alte temperature, la temperatura di utilizzo massima può raggiungere 1600°C.

silicon carbide heat sink

Applicazioni di SiC Piastra termoconduttiva

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio viene utilizzata per realizzare dissipatori di calore per componenti elettronici e apparecchiature elettriche, come circuiti integrati, moduli di alimentazione, CPU, memoria, LED, TV LCD, router, ecc.

Tabella delle dimensioni per Carburo di silicio Piastra termoconduttiva

Ci impegniamo a fornire piastre termoconduttive in carburo di silicio ottimali su misura per le vostre precise specifiche. Il nostro team dedicato garantisce un rispetto meticoloso delle vostre istruzioni, sforzandosi di superare le aspettative dei clienti. Inoltre, offriamo la flessibilità di dimensioni personalizzate per soddisfare le vostre esigenze specifiche.

I disegni e i requisiti dei parametri del prodotto devono essere forniti su richiesta di progettazione personalizzata.

Piastra conduttiva termica in carburo di silicio
Articolo n. Lunghezza (mm) Larghezza (mm) Spessore (mm)
AT-SIC-P1047 10 10 1,5
AT-SIC-P1048 10 10 2
AT-SIC-P1049 10 10 3
AT-SIC-P1050 10 10 5
AT-SIC-P1051 1012 2,5
AT-SIC-P1052 10 15 2
AT-SIC-P1053 11 13 5
AT-SIC-P1054 15 15 2
AT-SIC-P1055 15 15 3
AT-SIC-P1056 15 15 4
AT-SIC-P1057 15 15 5
AT-SIC-P1058 20 20 10
AT-SIC-P1059 20 20 10
AT-SIC-P1060 20 20 2,5
AT-SIC-P1061 20 20 2
AT-SIC-P1062 20 20 5
AT-SIC-P1063 20 20 5
AT-SIC-P1064 25 25 10
AT-SIC-P1065 25 25 2,5
AT-SIC-P1066 25 25 3
AT-SIC-P1067 25 25 5
AT-SIC-P1068 25 25 5
AT-SIC-P1069 25 25 8
AT-SIC-P1070 30 30 10
AT-SIC-P1071 30 30 2,5
AT-SIC-P1072 30 30 5
AT-SIC-P1073 30 30 5
AT-SIC-P1074 30 30 8
AT-SIC-P1075 35 35 10
AT-SIC-P1076 40 40 3
AT-SIC-P1077 40 40 4
AT-SIC-P1078 40 40 5
AT-SIC-P1079 40 40 5
AT-SIC-P1080 4040 7
AT-SIC-P1081 40 40 8
AT-SIC-P1082 50 50 5
AT-SIC-P1083 50 50 5
AT-SIC-P1084 60 60 5
AT-SIC-P1085 60 60 8

Dati tecnici dei silicio carburo materiali

Articolo Unità Dati indice
SiC sinterizzato per reazione
(SiSiC)
Nitruro di silicio legato con SiC
(NBSiC)
SiCn sinterizzato senza pressione
(SSiC)
Contenuto SiC % 85 80 99
Contenuto di silicio gratuito % 15 0 0
Massimo. Temp. di servizio â 1380 1550 1600
Densità g/cm3 3.02 2,72 3.1
Porosità % 0 12 0
Resistenza alla flessione 20°C MPa 250 160 380
1200°C MPa 280 180 400
Modulo di elasticità 20°C Gpa 330 220 420
1200°C Gpa 300 / /
Conduttività termica 1200°C W/m.k 45 15 74
Coefficiente di dilatazione termica K-1×10-6 4.5 5 4.1
Durezza Vickers AV kg/mm2 2500 2500 2800

*Questa tabella illustra le caratteristiche standard dei materiali in carburo di silicio comunemente utilizzati nella produzione dei nostri prodotti e componenti SiC. Tieni presente che gli attributi dei prodotti e delle parti personalizzati in carburo di silicio possono variare a seconda dei processi specifici coinvolti.

Istruzioni per l'uso

1. La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio deve essere controllata attentamente prima dell'uso per confermare se sono presenti crepe o danni e rimuovere polvere e impurità sulla superficie.
2. La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio deve essere conservata in un luogo asciutto e ventilato per evitare l'esposizione a lungo termine ad ambienti umidi o ad alta temperatura, in modo da non comprometterne le prestazioni.
3. Quando si maneggiano e si installano piastre ceramiche termoconduttive in carburo di silicio, evitare collisioni violente e cadute per evitare rotture.

Informazioni preziose

Silicon Carbide Ceramic Thermal Conductive Plate Packing

Imballaggio della piastra termoconduttiva ceramica in carburo di silicio

Le piastre termoconduttive in carburo di silicio sono accuratamente imballate in contenitori adeguati per evitare potenziali danni.

Vantaggi della personalizzazione
Vantaggi della personalizzazione

1. In base al tuo scenario applicativo, analizza le esigenze, scegli il materiale e il piano di lavorazione appropriati.

2. Un team di professionisti, risposta rapida, può fornire soluzioni e preventivi entro 24 ore dalla conferma della richiesta.

3. Meccanismo flessibile di cooperazione aziendale, supporta almeno un pezzo di personalizzazione della quantità.

4. Fornisci rapidamente campioni e rapporti di prova per confermare che il prodotto soddisfa le tue esigenze.

5. Fornire suggerimenti sull'uso e la manutenzione del prodotto per ridurre i costi di utilizzo.

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