Dissipatore di calore SiC con piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio è sinterizzata da polvere di carburo di silicio, con elevata conduttività termica, elevata durezza, buona resistenza all'usura, alle alte temperature e resistenza alla corrosione. L'interno è una struttura microporosa con una porosità superiore al 30%, che aumenta l'area a contatto con l'aria e l'effetto di dissipazione del calore, quindi il calore può essere dissipato più rapidamente, che può essere utilizzato per realizzare dissipatori di calore per componenti elettronici ed elettrici attrezzatura.

Marca:
ATCERA
Articolo n.:
AT-SIC-P1047

Materiali
SiC
Forme
Plate
Applicazioni
Electronics and Electricity , Mechanical Parts

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Proprietà di Ceramica al carburo di silicio Piastra termoconduttiva

1. Buon effetto rinfrescante

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio ha un'elevata conduttività termica, l'effetto di dissipazione del calore è ulteriormente rafforzato dalla struttura porosa interna ed è possibile ottenere una rapida dissipazione del calore.

2. Buona resistenza alla corrosione

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio resistente alla corrosione di acidi, alcali e altri prodotti chimici, può essere applicata a una varietà di ambienti con mezzi corrosivi.

3. Buona resistenza all'usura

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio ha elevata durezza, buona resistenza all'usura e lunga durata.

4. Resistenza alle alte temperature

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio ha una buona resistenza alle alte temperature, la temperatura di utilizzo massima può raggiungere 1600°C.

Applicazioni di SiC Piastra termoconduttiva

La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio viene utilizzata per realizzare dissipatori di calore per componenti elettronici e apparecchiature elettriche, come circuiti integrati, moduli di alimentazione, CPU, memoria, LED, TV LCD, router, ecc.

Tabella delle dimensioni per Carburo di silicio Piastra termoconduttiva

Ci impegniamo a fornire piastre termoconduttive in carburo di silicio ottimali su misura per le vostre precise specifiche. Il nostro team dedicato garantisce un rispetto meticoloso delle vostre istruzioni, sforzandosi di superare le aspettative dei clienti. Inoltre, offriamo la flessibilità di dimensioni personalizzate per soddisfare le vostre esigenze specifiche.

Invia requisiti per il design personalizzato

I disegni e i requisiti dei parametri del prodotto devono essere forniti su richiesta di progettazione personalizzata.

Piastra conduttiva termica in carburo di silicio
Articolo n.	Lunghezza (mm)	Larghezza (mm)	Spessore (mm)
AT-SIC-P1047	10	10	1,5
AT-SIC-P1048	10	10	2
AT-SIC-P1049	10	10	3
AT-SIC-P1050	10	10	5
AT-SIC-P1051	10	12	2,5
AT-SIC-P1052	10	15	2
AT-SIC-P1053	11	13	5
AT-SIC-P1054	15	15	2
AT-SIC-P1055	15	15	3
AT-SIC-P1056	15	15	4
AT-SIC-P1057	15	15	5
AT-SIC-P1058	20	20	10
AT-SIC-P1059	20	20	10
AT-SIC-P1060	20	20	2,5
AT-SIC-P1061	20	20	2
AT-SIC-P1062	20	20	5
AT-SIC-P1063	20	20	5
AT-SIC-P1064	25	25	10
AT-SIC-P1065	25	25	2,5
AT-SIC-P1066	25	25	3
AT-SIC-P1067	25	25	5
AT-SIC-P1068	25	25	5
AT-SIC-P1069	25	25	8
AT-SIC-P1070	30	30	10
AT-SIC-P1071	30	30	2,5
AT-SIC-P1072	30	30	5
AT-SIC-P1073	30	30	5
AT-SIC-P1074	30	30	8
AT-SIC-P1075	35	35	10
AT-SIC-P1076	40	40	3
AT-SIC-P1077	40	40	4
AT-SIC-P1078	40	40	5
AT-SIC-P1079	40	40	5
AT-SIC-P1080	40	40	7
AT-SIC-P1081	40	40	8
AT-SIC-P1082	50	50	5
AT-SIC-P1083	50	50	5
AT-SIC-P1084	60	60	5
AT-SIC-P1085	60	60	8

Dati tecnici dei silicio carburo materiali

Articolo		Unità	Dati indice
Articolo		Unità	SiC sinterizzato per reazione (SiSiC)	Nitruro di silicio legato con SiC (NBSiC)	SiCn sinterizzato senza pressione (SSiC)
Contenuto SiC		%	85	80	99
Contenuto di silicio gratuito		%	15	0	0
Massimo. Temp. di servizio		â	1380	1550	1600
Densità		g/cm3	3.02	2,72	3.1
Porosità		%	0	12	0
Resistenza alla flessione	20°C	MPa	250	160	380
Resistenza alla flessione	1200°C	MPa	280	180	400
Modulo di elasticità	20°C	Gpa	330	220	420
Modulo di elasticità	1200°C	Gpa	300	/	/
Conduttività termica	1200°C	W/m.k	45	15	74
Coefficiente di dilatazione termica		K-1×10-6	4.5	5	4.1
Durezza Vickers	AV	kg/mm2	2500	2500	2800

*Questa tabella illustra le caratteristiche standard dei materiali in carburo di silicio comunemente utilizzati nella produzione dei nostri prodotti e componenti SiC. Tieni presente che gli attributi dei prodotti e delle parti personalizzati in carburo di silicio possono variare a seconda dei processi specifici coinvolti.

Istruzioni per l'uso

1. La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio deve essere controllata attentamente prima dell'uso per confermare se sono presenti crepe o danni e rimuovere polvere e impurità sulla superficie.

2. La piastra ceramica termoconduttiva in carburo di silicio deve essere conservata in un luogo asciutto e ventilato per evitare l'esposizione a lungo termine ad ambienti umidi o ad alta temperatura, in modo da non comprometterne le prestazioni.

3. Quando si maneggiano e si installano piastre ceramiche termoconduttive in carburo di silicio, evitare collisioni violente e cadute per evitare rotture.

Informazioni preziose

Silicon Carbide Ceramic Thermal Conductive Plate Packing

Imballaggio della piastra termoconduttiva ceramica in carburo di silicio

Le piastre termoconduttive in carburo di silicio sono accuratamente imballate in contenitori adeguati per evitare potenziali danni.

Vantaggi della personalizzazione

1. In base al tuo scenario applicativo, analizza le esigenze, scegli il materiale e il piano di lavorazione appropriati.

2. Un team di professionisti, risposta rapida, può fornire soluzioni e preventivi entro 24 ore dalla conferma della richiesta.

3. Meccanismo flessibile di cooperazione aziendale, supporta almeno un pezzo di personalizzazione della quantità.

4. Fornisci rapidamente campioni e rapporti di prova per confermare che il prodotto soddisfa le tue esigenze.

5. Fornire suggerimenti sull'uso e la manutenzione del prodotto per ridurre i costi di utilizzo.

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