Silicon carbide tray
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Vassoio in carburo di silicio SiC RTA PVD ICP CMP Vassoio

Il vassoio in carburo di silicio è formato da polvere di carburo di silicio ad elevata purezza dopo la sinterizzazione, come dispositivo di trasporto utilizzato nel processo di produzione di semiconduttori, come RTA (Rapid Thermal Annealing), PVD (Physical Vapour Deposition), ICP (Inductively Coupled Plasmaï¼, CMP (chimico lucidatura meccanica) e così via.

  • Marca:

    ATCERA
  • Articolo n.:

    AT-THG-CZ1001
  • Materiali

    SiC
  • Forme

    Plate
  • Applicazioni

    Semiconductor
Silicon carbide tray

Proprietà di Vassoio in carburo di silicio

1. Eccellente conduttività termica, basso coefficiente di dilatazione termica, buona resistenza allo shock termico;

2. Resistenza alle alte temperature, resistenza agli urti al plasma;

3. Resistente a vari reagenti acidi, alcalini e chimici forti;

4. Elevata durezza, elevata resistenza, buona resistenza all'usura.

Applications of SiC Tray

Applicazioni di Vassoio SiC

Il vassoio in carburo di silicio viene utilizzato come piastra di supporto nel processo di produzione di semiconduttori (compresi i LED).

Tabella delle dimensioni per Vassoio in carburo di silicio

Ci impegniamo a fornire un vassoio in carburo di silicio di prima qualità su misura per le vostre specifiche esatte. Il nostro team dedicato garantisce un rispetto meticoloso delle vostre istruzioni, sforzandosi di superare le aspettative dei clienti. Inoltre, offriamo la flessibilità di dimensioni personalizzate per soddisfare le vostre esigenze specifiche.

I requisiti di disegno e parametri devono essere forniti se richiesto un progetto personalizzato. (dimensione massima fino a 500*500 mm e diametro fino a 500 mm)

Tolleranza di lavorazione:
Diametro ±0,25 mm
Spessore ±25μm
Orientamento dei cristalli <001> ±0,5°
Orientamento della faccia del cristallo ±0,5°
Orientamento del bordo ≤2°
Altri parametri contattare ATCERA.

Tolleranza dimensione:
Diametro: ±0,1 mm
Spessore: ±0,05 mm
Planarità: 0,003 mm

Drawing of Silicon Carbide Tray SiC PVD Tray

Vassoio in carburo di silicio SiC PVD
Articolo n. Diametro
(mm)
Spessore
(mm)
Purezza del SiC
(%)
AT-THG-CZ1001 230 3 99
AT-THG-CZ1002 300 1.4 99
AT-THG-CZ1003 300 3 99
AT-THG-CZ1004 330 1.4 99
AT-THG-CZ1005 330 3 99

Drawing of Silicon Carbide Tray SiC ICP Tray

Vassoio in carburo di silicio SiC ICP
Articolo N. Diametro
(mm)
Spessore
(mm)
Purezza del SiC
(%)
AT-THG-CZ2001 300 3 99
AT-THG-CZ2002 300 4.4 99
AT-THG-CZ2003 3304.4 99
AT-THG-CZ2004 330 3 99
AT-THG-CZ2005 380 4.4 99
AT-THG-CZ2006 380 3 99

Dati tecnici dei silicio carburo materiali

Articolo Unità Dati indice
SiC sinterizzato per reazione
(SiSiC)
Nitruro di silicio legato con SiC
(NBSiC)
SiCn sinterizzato senza pressione
(SSiC)
Contenuto SiC % 85 80 99
Contenuto di silicio gratuito % 15 0 0
Massimo. Temp. di servizio â 1380 1550 1600
Densità g/cm3 3.02 2,72 3.1
Porosità % 0 12 0
Resistenza alla flessione 20°C MPa 250 160 380
1200°C MPa 280 180 400
Modulo di elasticità 20°C Gpa 330 220 420
1200°C Gpa 300 / /
Conduttività termica 1200°C W/m.k 45 15 74
Coefficiente di dilatazione termica K-1×10-6 4.5 5 4.1
Durezza Vickers AV kg/mm2 2500 2500 2800

*Questa tabella illustra le caratteristiche standard dei materiali in carburo di silicio comunemente utilizzati nella produzione dei nostri prodotti e componenti SiC. Tieni presente che gli attributi dei prodotti e delle parti personalizzati in carburo di silicio possono variare a seconda dei processi specifici coinvolti.

Istruzioni per l'uso

1. Trattamento di pulizia
Prima dello stoccaggio, è necessario pulire la vaschetta in carburo di silicio per rimuovere impurità e sostanze inquinanti superficiali. È possibile utilizzare un detergente speciale o alcol per pulire e asciugare con un panno privo di polvere;
2. Trattamento di asciugatura
Il vassoio in carburo di silicio pulito deve essere asciugato per rimuovere l'umidità residua. Il vassoio può essere asciugato naturalmente in un ambiente a bassa umidità o asciugato utilizzando un essiccatore;
3. Ambiente di archiviazione
Il vassoio in carburo di silicio deve essere conservato in un ambiente asciutto, pulito e privo di polvere per evitare umidità, inquinamento e polvere;
4. Antiurto e anticaduta
Nel processo di conservazione e trasporto, il vassoio deve essere evitato da forti vibrazioni o cadute per evitare che venga danneggiato o comprometta la precisione;
5. Ispezione regolare
Lo stato del vassoio in carburo di silicio deve essere controllato regolarmente, compreso l'aspetto, l'accuratezza e la stabilità, ecc., per garantire che sia in buone condizioni prima dell'uso.

Informazioni preziose

SiC Tray Packing

Imballaggio del vassoio SiC

I vassoi in carburo di silicio sono accuratamente imballati in contenitori adeguati per evitare potenziali danni.

Vantaggi della personalizzazione
Vantaggi della personalizzazione

1. In base al tuo scenario applicativo, analizza le esigenze, scegli il materiale e il piano di lavorazione appropriati.

2. Un team di professionisti, risposta rapida, può fornire soluzioni e preventivi entro 24 ore dalla conferma della richiesta.

3. Meccanismo flessibile di cooperazione aziendale, supporta almeno un pezzo di personalizzazione della quantità.

4. Fornisci rapidamente campioni e rapporti di prova per confermare che il prodotto soddisfa le tue esigenze.

5. Fornire suggerimenti sull'uso e la manutenzione del prodotto per ridurre i costi di utilizzo.

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