L'elemento riscaldante in carburo di silicio è un elemento riscaldante elettrico ad alta temperatura, realizzato in carburo di silicio verde ad elevata purezza e nerofumo attraverso silicizzazione e ricristallizzazione ad alta temperatura. Rispetto ad altri elementi riscaldanti elettrici metallici, presenta i vantaggi di resistenza alla corrosione acida e alcalina, forte resistenza all'ossidazione, grande densità di carico superficiale, rapido aumento della temperatura, buona resistenza allo shock termico, piccolo coefficiente di dilatazione termica, elevata conduttività termica, elevata temperatura di lavoro, lunga durata, se integrato con un sistema di controllo elettronico automatico, non solo è possibile ottenere una temperatura costante e accurata, ma è anche possibile ottenere una regolazione automatica della temperatura in base alle esigenze del processo di produzione.

La durezza della piastra antiproiettile in ceramica al carburo di silicio è elevata, supera HV2600 o più e il grado antiproiettile raggiunge il livello NIJ IV, che può essere utilizzato come rivestimento di giubbotti antiproiettile e armature protettive di veicoli, aerei e navi. 1>

Il substrato è il materiale di base del chip semiconduttore, che può essere suddiviso in tipo conduttivo e tipo semiisolante in base alla resistività. I dispositivi a semiconduttore realizzati con substrato in carburo di silicio possono soddisfare meglio i requisiti applicativi di alta temperatura, alta tensione e potenza maggiore, la forma è generalmente rotonda e il diametro è solitamente di 2 pollici (50 mm), 3 pollici (75 mm), 4 pollici (100 mm ), 6 pollici (150 mm), 8 pollici (200 mm) e altre specifiche.

Il wafer di carburo di silicio, una nuova generazione di materiali semiconduttori, può essere utilizzato per produrre una varietà di dispositivi elettronici, come transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET), diodo Schottky, fotodiodo, ecc.

Il vassoio in carburo di silicio è formato da polvere di carburo di silicio ad elevata purezza dopo la sinterizzazione, come dispositivo di trasporto utilizzato nel processo di produzione di semiconduttori, come RTA (Rapid Thermal Annealing), PVD (Physical Vapour Deposition), ICP (Inductively Coupled Plasmaï¼, CMP (chimico lucidatura meccanica) e così via.

La funzione principale dell'ugello è trasformare il liquido o il gas nella forma, velocità e direzione richieste attraverso l'azione di iniezione.

Il cuscinetto in carburo di silicio è un tipo di cuscinetto ad alte prestazioni, composto principalmente da anello interno, anello esterno e rulli, con caratteristiche di elevata durezza, resistenza all'usura, leggerezza, resistenza alle alte temperature, resistenza alla corrosione, resistenza all'ossidazione, ecc., è adatto per ambienti di lavoro difficili e occasioni ad alta velocità.

Il tubo e la piastra tubiera per lo scambio di calore in carburo di silicio sono il componente principale dello scambiatore di calore a fascio tubiero. La sua funzione è quella di trasferire calore tra il fluido all'interno e all'esterno del tubo con temperature diverse.